目前，集成电路的发展趋势是小型化、大功率、多功能，用户对产品的可靠性要求越来越高，为微电子制造技术和技术提出了许多新课题。

在厚膜混合集成电路制造过程中，电路故障的主要原因之一是键合故障。据统计，大约有70条混合集成电路 超过%的产品失效是由键合失效引起的。

这是因为键合区在生产过程中不可避免地会受到污染。如果不直接处理，会造成虚焊、脱焊、键合强度低等缺陷，使产品的长期可靠性得不到保证。

等离子体清洗可以有效去除键合区域的光抗腐蚀剂、溶剂残留物、环氧溢出物或其他有机污染物。因此，在键合前进行等离子体清洗可以大大降低键合的失效率，从而提高产品的可靠性。

等离子体清洗具有清洗、不损坏芯片、不降低膜附着力的特点，具有传统液相清洗无与伦比的优点：从工作原理来看，利用电能产生低温工作环境，不影响部件粘度（焊接）和部件本身的性能，等离子体清洗也消除了化学反应带来的危险和麻烦。

等于清洗产生的是气体物质，而不是液体废物，可以直接排放到空气中。因此，没有昂贵的废物处理系统。等离子体清洗是通过选择和调整功率、压力、时间、气体类型等工艺参数来控制的，操作方便、简单。

在等离子体清洗过程中，高能电子与气体分子发生碰撞，使其离解或电离，利用产生的各种颗粒轰击被清洗表面或与被清洗表面发生化学反应，有效去除被清洗表面的有机污染物或改善表面状态。

采用Ar在气体等离子体清洗过程中，氩离子冲击表面产生的巨大能量可以去除有机污染物，轰击产生的机械能可以将聚合物中的大分子化学键分离成小分子并气化。

采用O在等离子体清洗过程中，氧离子与有机分子反应形成H2O或CO2气化。采用Ar和O2.清洗混合气体时，反应速率远快于使用任何单独气体。氩离子被负偏压加速，形成的动能可以提高氧气的反应能力。这样可以去除污染严重的设备表面。

键合前等离子体清洗：

(1)清洗后键合强度普遍增加；

(2)清洗后极差缩小；

(3)清洗后键合强度的离散性降低；

(4)清洗改进了失效模式。

键合前的等离子体清洗可以有效地去除薄膜键合区域内各种工艺本身带来的有机污染物。从而达到提高键合强度和减少脱焊的目的。等离子体清洗可以减少键合故障引起的产品故障，为提高产品的长期可靠性和质量提供强有力的工艺保证。

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